FCP7N60_F080
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Fairchild/ON Semiconductor FCP7N60_F080
| Artikelnummer: | FCP7N60_F080 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Fairchild (onsemi) |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
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Fairchild/ON Semiconductor FCP7N60_F080 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FCP7N60_F080.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 Serie SuperFET™ Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 3.5A, 10V Verlustleistung (max) 83W (Tc) Verpackung Tube Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 920pF @ 25V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V Typ FET N-Channel FET-Merkmal - Drain-Source-Spannung (Vdss) 600V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7A (Tc) FCP7N60_F080 Einzelheiten PDF [English] FCP7N60_F080 PDF - EN.pdf -
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